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打线门极电阻,SiC碳化硅模块功率提高的推手
发布者 : admin 发布时间 : 2024/08/21 09:08:10


随着电动汽车领域的快速发展,SiC碳化硅模块作为电力电子系统的核心组件,其性能直接关系到系统的效率、可靠性和成本。为助力碳化硅模块进行有效且安全的工作,打线门极电阻会被安装于其中以均衡电流,防止异常电流对模块造成损害。

打线门极电阻不仅影响着碳化硅模块的开关速度,还会影响开关过程中的能量损耗和模块的热管理。因此,合理设计门极电阻的位置对提升整个碳化硅模块的效率至关重要。打线门极电阻一般被安装于模块的导电区中,并通过邦定工艺与芯片进行电连接以实现并联,满足模块电流控制需求。在电路设计中加入门极电阻,可帮助碳化硅模块:

一、降低开关损耗:结合模块内部其它组件,减少栅极驱动回路中的源极电感,有助于降低开关过程中产生的损耗,延长模块的使用寿命;

二、提高开关速度:利用打线门极电阻进行合理电路布局,有助于模块提高整体的功率输出能力;

三、增强功率密度:门极电阻为模块带来更高的基片利用空间,有助于模块的小型化设计。

基于上述打线门极电阻在碳化硅模块中的作用,广东爱晟电子科技有限公司专门为碳化硅模块厂商研发、量产了DR系列碳化硅模块用打线门极电阻,助力碳化硅模块性能提升。爱晟电子生产为迎合客户不同的安装场景,将打线门极电阻分为垂直式导通与水平式导通,为客户在型号选择上提供便利。此外,门极电阻还具有以下优点:

一、高精度,辅助碳化硅模块进行更精确的电流传输工作;

二、耐受长时间高温焊接,帮助模块在高温环境下仍能稳定运作;

三、可邦定、银烧结,客户能够根据自身需求选择合适的焊接方式。

打线门极电阻与碳化硅模块内部其它组件相辅相成,不仅有效提高模块的电流传输能力、平衡开关损耗与导通损耗,还增强了其应对复杂工况的能力。随着碳化硅技术的不断进步,未来爱晟电子也将持续改善打线门极电阻的设计,更加注重其与碳化硅模块整体架构的协同优化,以满足模块对更高效率和更小体积的需求。

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