SiC碳化硅模块凭借自身低导通损耗、高频开关等特性，成为新能源汽车、智能电网等领域的核心元器件。然而，碳化硅模块纳秒级开关速度容易引发过电压、过电流及电磁干扰（EMI）等问题，这时便需要爱晟电子自主研制的打线门极电阻协助控制电流，保护碳化硅模块免受损坏。

在碳化硅模块中，打线门极电阻并非孤立发挥作用，而是与模块内部其它元器件紧密配合，共同确保其高效稳定运行：

一、与开尔文源极电路配合，消除源极电感效应

碳化硅模块常采用开尔文源极电路以分离功率回路和驱动回路。门极电阻与开尔文源极电路电连接，该集成布局进一步缩短了驱动回路的导电区面积。这种结构有效降低寄生电感，从而减少开关过程中的电压尖峰，尤其适用于高频应用场景。

二、与碳化硅芯片协同，均衡电流

通过邦定工艺，打线门极电阻与碳化硅芯片并联，优化模块的均流效果。该设计能降低热失控的发生风险，提升碳化硅模块性能。

三、与其它元器件高度集成，改善模块布局

为配合碳化硅厂商的研发，爱晟电子生产的打线门极电阻提供垂直式导通与水平式导通两种封装结构。小尺寸有助于小型化结构制造，使碳化硅模块设计更紧凑。

在打线门极电阻的配合下，碳化硅模块在面对复杂工况时亦能保持出色的可靠性与稳定性。而打线门极电阻与模块内部其它元器件的协同共配合，进一步确保了碳化硅模块的稳定运行与高性能表现。